문서, 사진, 동영상 등 일상에서 PC나 스마트폰으로 접하는 디지털 정보의

형태는 다양하고 복잡하다.

그러나 이 모든 디지털 정보를 이루는 기본은 매우 단순하다는 사실.

이진법 숫자인 ‘0’과 ‘1’만으로 이뤄져 있기 때문이다

   반도체 칩의 가장 기본 요소인 트랜지스터(Transistor)는, 이런 이진법으로

이뤄진 디지털 정보를 전기신호로 만드는 반도체 소자다.

   경제성을 위해 한정된 면적의 실리콘(Si) 기판 위에 가능한 많은 반도체

칩을 얹으려면, 트랜지스터의 크기는 최대한 작아져야 한다.

   또, 전자 제품의 절전과 배터리 수명 증대, 발열 감소 등 효과를 보려면

전력 소모를 최소화해야 하기 때문에 반도체의 기본이 되는 트랜지스터의

동작 전압도 낮아져야 한다.

   다시 말해 반도체 발전 역사는 바로 트랜지스터를 더 작고 빠르게, 또한

더 적은 전력만을 소모하도록 만들어온 과정이라 할 수 있다.

   반도체 기술 영역에서 GAA 트랜지스터 개발은 '산업혁명'에 비견될 정도로

획기적인 기술의 변환이다. 

   또한 현재 세계에서 삼성전자만이 그 적용 계획을 제시하고 있을 정도로

난이도가 높은 공정이기도 하다

   삼성전자는 한계라 여겨졌던 ‘4나노의 벽’을 넘으며 반도체 역사를 다시

써 내려 가고 있다.

   (반도체의 크기를 측정하는 단위로 1나노미터는 10억분의 1미터)

   사람 눈으로 볼 수 없을 만큼 ‘미세’하지만, 4차 산업혁명을 넘어 기술과

산업의 ‘원대한 미래’를 열어갈 GAA 트랜지스터와 MBCFET™이라는 신기술.

거대한 기술의 변환, 그리고 새로운 역사와 마주하고 있다.

바람처럼